市场趋势Market Trend

1. ★南亚科2月份营收月衰退 20.28%，创2年多来历史新低 20190306

受到半导体市场市况不佳的冲击，加上 2 月份开工天数减少的影响，台系DRAM大厂南亚科公布 2019 年 2 月份营收，金额来到33.95亿元（新台币，下同），较 1 月份减少 20.28%，也较 2018 年同期的 59.27 亿元下滑 42.72%，创 31 个月以来的新低纪录。累计，2019 年前两个月的营收为 76.53 亿元，较 2018 年同期的 120.75 亿元，下滑 36.62%。

2. 存储器价格2019年第1季将再跌30%，三星半导体龙头恐不保  20190306

根据集邦咨询TrendForce存储器储存研究（DRAMeXchange）最新调查指出，2019 年以来 DRAM 存储器价格大幅下跌，其估计第 1 季的跌幅，将预期从原本的25%，扩大至30%。而这样的情况，对于依赖存储器业务而登上全球半导体龙头位置的南韩三星来说，显然不是好消息，因为有可能因为存储器价格的持续下跌，导致其半导体龙头企业的位置不保。

3.宇瞻：DRAM第2季仍供过于求但全年不悲观  20190307

动态随机存取存储器（DRAM）市场供过于求，存储器模组厂宇瞻总经理张家騉昨天表示，供过于求情况恐将延续到第2季前期；不过，对全年并不悲观。

宇瞻下午召开法人说明会，张家騉表示，第1季为消费市场传统淡季，加上美中贸易摩擦的不确定性，影响买家态度观望，造成DRAM市场供过于求，预期供过于求情况可能延续到第2季前期。

4. 黄崇仁：DRAM产业Q1落底Q2可望回温 20190308

力晶集团执行长黄崇仁昨(7) 日在台湾 RISC-V 联盟启动仪式会后受访时表示，看好美中贸易谈判可望有一定程度的缓和，待库存去化完成后，DRAM 产业景气将在本季落底，第 2 季可望逐步回温。

According toTrendForce’s newest research report, development momentum of advancedproduction processes has been dropping due to weakening demand in most endmarkets, including smartphones. Foundries face a severe challenge in 1Q19, andglobal foundry production revenue for the first quarter is expected to declineby around 16% compared to the same quarter 2018, arriving at 14.6 billion USD.TSMC, Samsung and GlobalFoundries take first, second and third placerespectively in market shares, and although TSMC’s market share reaches 48.1% ,it suffers a near 18% decline in YoY growth.

6. ★★★第一季全球前十大晶圆代工营收排名出炉，台积电市占率达48.1%20190318

根据拓墣产业研究院最新报告统计，由于包含智能手机在内的大部分终端市场出现需求疲乏的现象，导致先进制程发展驱动力下滑，晶圆代工业者在2019年第一季就面临着相当严峻的挑战。

拓墣产业研究院预估第一季全球晶圆代工总产值将较2018年同期衰退约16%，达146.2亿美元。其中市占率排名前三的分别为台积电、三星与格罗方德。尽管台积电市占率达48.1%，但第一季营收年成长率衰退近18%。

7. 美光：库存金额季增逾一成，DRAM晶圆投片量拟减5% 20190321

美国存储器大厂美光科技（Micron Technology Inc.）20 日美国股市盘后公布2019 会计年度第 2 季（截至 2019 年 2 月 28 日）财报：营收年减20.6%、季减 26.3% 至 58.35 亿美元；非一般公认会计原则（Non-GAAP）每股稀释盈余年减 39.4% 至 1.71美元。

美光财务长 Dave

Zinsner 在财报电话会议表示，美光第 3 季营收、Non-GAAP每股稀释盈余预估区间分别为 46.0 亿至 50.0 亿美元，中间值为 48.0 亿美元；0.75~0.95 美元，中间值为 0.85 美元。

8. 美光Q2营收超乎预期，预计今年Q4存储器将再回温 20190322

存储器大厂美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日为止的该年度第 2 季营收数字。根据数字显示，其营收达到 58.35 亿美元，相较 2018 年同期为 73.51 亿美元，以及第 1 季的为 79.13 亿美元都有减少。而且在税后净利部分，达到 16.19 亿美元，与 2018 年同期的 33.09 亿美元相比，下降 51%，与第 1 季的 32.93 亿美元相比也是下滑。不过，因为第 2 季的营收表现超乎华尔街分析师的预期，也拉抬了美光在 21 日美股盘后股价大幅上涨逾 5%。

9. ★★★With Inventories Yet to Fully Clear, DRAM ASP Poised to Continue Descent into the Second Half-Year, Says TrendForce20190325

DRAMeXchange , adivision of TrendForce , points out that the drop in DRAM contract pricescontinues to grow in the first quarter due to the overabundance in inventorylevels, falling by over 20% in overall ASP. The accelerating drop in prices didnot stimulate a recovery in demand, and transactions have still been few. DRAMASP is predicted to continue falling well into the third quarter as inventoriesclearouts have yet to be completed.

10. ★★★集邦咨询：DRAM均价受库存尚未去化完成影响，跌势恐将持续至下半年 20190325

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。

根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。

11. 库存尚未去化完成DRAM跌势恐持续至第3季 20190326

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第1季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。但在价格加速下跌的状态下，并未刺激需求回温，交易仍显清淡，预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下，跌势恐将持续至第3季。

根据DRAMeXchange调查，累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已经超过6周 (含wafer bank)，买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达5周，在服务器以及PC客户端甚至超过7周的水位。

12.美国仍是半导体产业霸主，中国一公司表现亮眼：不是海思 20190327

2016到2018年的时候，由于NAND闪存及DRAM内存价格涨价，三星营收大涨，全年营收连续两年超过英特尔，成为全球半导体一哥，英特尔保持了25年之久的半导体第一宝座没了，不过2019年因为内存闪存降价，三星营收会下滑，英特尔将重新夺回全球第一。在半导体产业中，美国公司的实力无疑是全球最强的，没有之一。ICInsights日前发布了2019版McClean报道，美国公司在全球无晶圆半导体行业中占了68%的份额，9年来依然无敌，中国公司的份额从5%增长到了13%，进步明显，去年有一家公司表现非常亮眼，但不是海思，而是一家很特殊的芯片公司——比特大陆。

2. SK Hynix无锡内存工厂4月投产：产能大增，内存想涨价难了 20190328

美光前不久发布的2019财年Q2季度财报显示内存、闪存ASP均价环比跌了20%，导致美光营收大减26%、盈利暴跌50%，为此美光决定削减5%的闪存及内存产能，希望今年底内存价格能够恢复正常。三星也针对Q1季度业绩发布预警，也跟内存降价导致盈利下降有关。对于内存，市场预计直到Q3季度价格都会下滑，主要原因就是供过于求。对内存厂商来说，今年想涨价并不容易，因为SK Hynix在无锡总投资86亿美元的DRAM内存工厂今年4月份就要投产了，此后SK Hynix在无锡的内存产能会提升到每月18万片晶圆，产能大增，市场供过于求的情况只会更严重。

技术热点New Technology

1. ★南亚科启动10纳米世代技术 20190228

今年以来DRAM价格持续下跌，DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利，南亚科将朝向优化产品组合方向调整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外，南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权，并启动自主研发的10纳米世代制程研发。

2. ★★★S amsung Ships First Commercial Embedded MRAM (eMRAM) Product 20190306

Samsung todayannounced that it has started mass production of its first commercial embeddedMagnetic Random Access Memory (eMRAM). Made using its 28FDS (28nm FD-SOI)process technology, the eMRAM modulepromises to offer higher performance and endurance when compared to eFlash.Furthermore it can be integrated into existing chips, according to themanufacturer.

3. 量子摩尔定律问世：量子体积每年增加一倍  20190311

在近日召开的2019年美国物理学会三月会议上，IBM正式提出量子摩尔定律，同时，IBM还公布了旗下最新的量子计算机IBM Q System One，这款量子计算机拥有“迄今为止最高的量子体积”。

“量子体积”是IBM提出的一个专用性能指标，用于测量量子计算机的强大程度，其影响因素包括量子比特数、门和测量误差、设备交叉通信、以及设备连接和电路编译效率等。因此，量子体积越大，量子计算机的性能就越强大，能够解决的实际问题就越多。

4. ★CXL Specification 1.0 Released: New Industry High-Speed Interconnect From Intel 20190311

With thebattleground moving from single core performance to multi-core acceleration, anew war is being fought with how data is moved around between different computeresources. The Interconnect Wars are truly here, and the battleground just gota lot more complicated. We’ve seen NVLink, CCIX, and GenZ come out in recentyears as offering the next generation of host-to-device and device-to-devicehigh-speed interconnect, with a variety of different features. Now CXL, orCompute Express Link, is taking to the field.

5. ★英特尔联合大咖科技企业发起 CXL 联盟，争取资料中心商机 20190313

处理器大厂英特尔（Intel）宣布联合多家厂商，一起推出了针对资料中心、高效能计算、AI 等领域的全新的互联协议 Compute EXpress Link（CXL），并将正式发布 CXL 1.0 规范。

英特尔指出，这个协议使得计算机各元件之间拥有更高的频宽，能够让 CPU 与 GPU、FPGA 或其他加速器之间达成高效、高速的连结，以带来更低的频宽和更好的存储器一致性。而该技术是建立在完善的 PCIe 5.0 的物理和电流基础上，不用透过专门设计的界面，简化服务器硬件的设计难度，降低了整体系统的成本。

6.★★Western Digital Develops Low-Latency Flash to Compete with Intel Optane 20190312

Western Digitalis working on its own low-latency flash memory that will offer a higherperformance and endurance when compared to conventional 3D NAND, ultimatelydesigned to compete against Optane storage.

At Storage FieldDay this week, Western Digital spoke about its new Low Latency Flash NAND. Thetechnology is meant to fit somewhere between 3D NAND and DRAM, similar toIntel’s Optane storage and Samsung’s Z-NAND. Similar to those technologies,according to Western Digital, its LLF memory will feature access time “in themicrosecond range”, using 1 bit-per-cell and 2 bit-per-cell architectures.

7. ★★西数开发低延迟闪存欲与英特尔傲腾产品竞争 20190313

外媒报道称，存储大厂西部数据（WD）正在开发自家的低延迟闪存，与传统 3D NAND 相比，其能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。在本周的 Storage Field Day 上，西数透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 之间，类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND 。其访问延迟在微妙级，使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元。

作为一款性能向的定制设备，LLF存储的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照当下的每 GB 价格计算，其成本是 3D NAND 存储的 20 倍。换言之，这项技术只会在数据中心或高端工作站普及开来。

8. ★Samsung Begins Mass Production of 12 GB LPDDR4X for Smartphones 20190314

Samsungannounced late on Wednesday that it had started volume production of 12 GB LPDDR4X-4266memory for high-end smartphones. The chip is currently the highest-density DRAMfor mobile applications. The first smartphone to use Samsung’s 12 GB LPDDR4XDRAM package will be the company’s own Galaxy S10+ handset formally announcedlast month.

9. 内存之后，下一代存储技术怎么用？ 20190319

随着存储技术的发展，对存储性能的不懈追求，高性能存储开始探索向内存通道的迁移。在这样的情况下，NVDIMM技术便应运而生了。

NVDIMM (Non-Volatile Dual In-LineMemory Module)是一种可以随机访问的，非易失性内存，又被称作PMem (PersistentMemory)。在之前的微信文章中，我们介绍了NVDIMM几种硬件上的实现方式，以及为了支持和优化性能所做的硬件上的改变。今天，我们来讨论一下为了充分发挥NVDIMM的性能，软件方面做了哪些支持。有些人可能会有疑问，为什么用起来这么麻烦？既然是持久性内存，不是应该关机什么样，开机什么样，就可以了吗？

其实目前来看，这种想法还不会变为现实。因为除了DRAM是易失性的，比如cache，寄存器这种也是易失性的。仅仅把内存做成持久性的也不能达成这样的目的。另一个问题是，memory leak。如果发生了内存泄漏，重启一下就好了。那如果是持久性内存的泄漏呢？这也是一个很棘手的问题。Pmem有些方面类似于内存，也有些方面类似于存储。但是，通常上我们不会认为Pmem能够替代内存或存储。其实，可以把它看作是一种补充，填补了内存和存储之间巨大的差异。

10. ★★Samsung HBM2E ‘Flashbolt’ Memory for GPUs: 16 GB Per Stack, 3.2 Gbps 20190320

Samsung hasintroduced the industry’s first memory that correspond to the HBM2Especification. The company’s new Flashbolt memory stacks increase performanceby 33% and offer double per-die as well as double per-package capacity. Samsungintroduced its HBM2E DRAMs at GTC, a fitting location since NVIDIA is one ofthe biggest HBM2 consumers due to their popular GV100 processor.

11.★Video: What’s Driving Tomorrow’s Semiconductors? 20190322

In earlyFebruary the Samsung Strategy & Innovation Center asked for The Memory Guyto present an outlook for semiconductors as a part of the company’s SamsungForum series.

Samsung kindlyposted a video of this presentation on-line for anyone to watch.

Naturally, thepresentation is memory-focused since it consists of the Memory Guy presentingto the world’s leading memory chip supplier. Still, it also covers total semiconductor revenues and demand driversfor future non-memory technologies, as well as memory chips.

12.★★Samsung Develops Smaller DDR4 Dies Using 3rd Gen 10nm-Class Process Tech 20190321

Samsung hascompleted development of its 3rd-generation 10 nm-class manufacturing processfor DRAM as well as the first 8 Gb DDR4 chip that uses the technology. The1z-nm process technology is said to be the world’s smallest process node formemory, and will enable Samsung to increase productivity without needing to goto extreme ultraviolet lithography (EUVL) at this time. The company plans tostart volume production using the technology in the second half of 2019.

行业动态Industry News

1.南亚科今年资本支出续降 20190227

南亚科技看今年上半年DRAM市场保守，今年资本支出预估降至106亿元（新台币，下同），仅约为去年204亿元一半；今年资本支出保守，位元成长率将低于市场均值，全年位元销量成长率估约15%。

南亚科将参加法人说明会，公布的简报中指出，受到全球经济放缓、美中贸易纷争关税提高造成供应链调整及CPU短缺影响，预期DRAM市场2019上半年市况保守。

2. 英特尔：14纳米缺货状况不会在10纳米或7纳米上重演  20190304

2018 年下半年，因为处理器龙头英特尔（intel）的 14 纳米制程产能不足，造成了整体处理器市场的大缺货，进而导致了许多计算机大厂因此而业绩衰退，甚至影响到存储器与其他产品厂商的业绩。

而由于英特尔即将在 2019 年正式量产旗下的 10 纳米制程处理器，使得市场担心相关的产能缺少状况也会在 10 纳米的制程中产生。日前，英特尔高层就指出，对于 14 纳米产能的情况，将会尽可能避免在 10 纳米，甚至是未来的 7 纳米产能中再重蹈覆辙。

3. DRAM价看跌三成业者受创  20190306

DRAM业超级景气循环止步并急转直下，市调机构集邦昨（5）日最新报告指出，DRAM供过于求比预期严重，大部分交易已改为每月计价，2月价格更罕见大幅下修，导致本季跌幅将从原估计的25%扩大至近30%，为2011年来单季最大跌幅，且未来几季价格仍面临下修风险。

南亚科、华邦电等主要DRAM厂也保守看待短期DRAM市况，认为价格下滑在所难免。南亚科先前预期，本季价格跌幅可能达一成，第2季还很难看清楚，集邦昨天最新报告预估本季价格跌幅直逼三成，比业者原本预估的幅度更大。

4.芝奇2019世界杯超频大赛总奖金达25,000美金  20190311

2019年03月08日–世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌，芝奇国际宣布年度液氮超频盛事「芝奇2019第六届世界杯超频大赛」正式展开。今年芝奇再度为赛事加码，提供了高达美金25,000元的巨额总奖金，冠军选手更能在台北电脑展 2019展位现场独拿1万美金，乃全球超频选手梦寐以求的高额单一现金奖。欢迎各国顶尖超频好手共襄盛举，大秀精湛的超频技术！

5. 仁宝：英特尔CPU缺货状况Q3有望缓解  20190325

计算机系统大厂仁宝22日举行法说会，总经理翁宗彬表示，英特尔缺货状况有望在Q3缓解。目前CPU仍在缺货状态，因此如果有货，会优先给高单价的商用与消费PC，而这些是仁宝经营的项目。

仁宝副董事长陈瑞聪说，现在是传统淡季，但CPU仍有供给缺口，第二季供应情况有望逐步上升，例如教育NB，第二季需求上来，但第三季才有CPU，因此5月的要递延到6月生产，6月要能全产又考验公司产能，因此要准备好、让产能极大化，这样训练也有利迎接9月的生产高峰。

6. 特尔14纳米CPU缺很大，仁宝：第二季比现在更吃紧  20190326

英特尔 14 纳米处理器（CPU）缺货问题持续一年仍未解，市场原认为 2019 年首季就能缓解，如今根据品牌厂华硕及代工厂仁宝说法，缺货看来要到第三季才能开始改善，第二季缺口还有进一步扩大疑虑，AMD（超微）将趁势崛起。

缺货越来越凶，第二季最严重

仁宝副董事长陈瑞聪 22 日说，处理器整体来说是「真缺货」，预计最快第三季开始供应量增加，第四季才会改善。仁宝粗估，第一季虽然预期笔电出货会季减 10%~15%，但笔电处理器缺口还达 10%~20%。从此推算，第二季处理器缺口恐上看二成以上。

Semiconductor Industry News Briefing (7)201903